RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
45
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3665
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link