RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3463
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link