RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3463
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link