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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
49
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
49
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2302
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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