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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3498
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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