RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3498
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link