RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
81
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
1523
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link