RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2194
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link