RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
45
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2462
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link