RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
46
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2396
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link