RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
11.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2396
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link