RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
49
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2277
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link