RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
49
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2277
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link