RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2687
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link