RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2687
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link