RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2594
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link