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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.3
13.0
写入速度,GB/s
8.0
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2594
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
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Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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