RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
59
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2128
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link