RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
56
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2138
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link