RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
56
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
56
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2138
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link