RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3890
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link