RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1578
3890
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link