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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1578
3890
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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