RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1578
3890
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link