RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
32
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2395
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link