RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3866
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link