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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3866
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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