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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
45
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2794
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calculate
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