RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2379
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link