RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB 考慮すべき理由
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 45
    周辺 -67% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 2379

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
メモリRAM