RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2548
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link