RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2548
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link