RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3064
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 0000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link