RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
2782
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link