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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
16.7
16.1
写入速度,GB/s
10.0
11.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2782
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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