Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.7

Среднее значение в тестах

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 69

Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.1 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 32
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 16.7
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 3064

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 99U5643-001.A00G 8GB

Kingston 99U5643-001.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston XN205T-MIE 16GB

Kingston XN205T-MIE 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Mushkin 994083 4GB

Mushkin 994083 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston 9905625-152.A00G 16GB

Kingston 9905625-152.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM