RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
76
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1718
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link