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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
76
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
76
Velocità di lettura, GB/s
8.9
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
1718
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS256MSK64V3N-I 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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