RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
32
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
32
Velocità di lettura, GB/s
16.0
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link