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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
48
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3422
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