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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
63
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,650.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,291.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,650.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
502
3120
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Absolute Latency
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