Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB

Gesamtnote
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 17
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 63
    Rund um -103% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 1,650.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 4200
    Rund um 4.57 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    63 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,291.7 left arrow 17.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,650.1 left arrow 12.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    502 left arrow 3120
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