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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
63
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,650.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,291.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,650.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
502
3120
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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