RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
63
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,650.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,291.7
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,650.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
502
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link