RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
63
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,650.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,291.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,650.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
502
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link