RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,650.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,291.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,650.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
502
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link