RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,650.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,291.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,650.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
502
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link