RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
48
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
16.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3703
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link