RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3703
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link