RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3697
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link