RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3697
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link