Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 35

Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

14.2 9.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.9 7.9

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2126 2909

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns