Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 35

Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.2 9.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.9 7.9

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2126 2909

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns